Processo de fabricação de filme anti -reflexivo

Processo tecnológico
Forneça materiais de crescimento e fontes de gás: Forneça materiais de crescimento para o filme anti -reflexivo, como o SIO em algumas modalidades, fornecendo fontes de gás correspondentes aos materiais de crescimento, como SiH ₄, N ₂ O e N ₂ Combinações de fonte de gás .
Formação da camada anti-reflexão: use o mesmo material de crescimento para formar seqüencialmente pelo menos duas camadas anti-reflexão do filme anti-reflexão na camada de substrato . A camada de substrato pode incluir camada sio, camada e camada de absorção, na sequência do crescimento da direção do filme {1.}, e a reflexão de reflexão na sequência da layer da direção do filme.}} Por exemplo, é formado pelo processo de crescimento epitaxial (como o método de deposição de vapor químico aprimorado no plasma PECVD) . As etapas específicas são as seguintes:
Processamento de substrato: Após o processo de limpeza de semicondutores na camada de substrato, coloque a camada de substrato no equipamento de deposição de CVD .
Configurações do parâmetro do equipamento: Controle a temperatura superior do eletrodo do equipamento de deposição de CVD para 200-300 grau e a temperatura inferior do eletrodo para 250-350 grau .
Crescimento da primeira camada anti -reflexão: Ajuste os primeiros parâmetros de deposição do equipamento de deposição de CVD, incluindo a primeira vazão de volume de SiH ₄, N ₂ O e N ₂, a primeira pressão de gás, a primeira potência de RF do meio de deposição de CVD, o primeiro tempo de deposição de filme fino, etc. {{}}}, ou qualquer combinação de combinação, para que a deposição de finção, o primeiro, o tempo de deposição, e o primeiro, o número de deposições de fastidação, ou qualquer um dos fossos, o primeiro intervalo de deposição de CVD, o primeiro, o primeiro intervalo de deposição de CVD, o primeiro, o primeiro intervalo de fins de deposição, e o primeiro tempo de deposição de cvd. 10-200 nm e um intervalo de índice de refração de 1.4-1.71.
Growth of a second anti reflection layer: Adjust the second deposition parameters of the CVD deposition equipment, including the second volume flow rate of SiH ₄, N ₂ O, and N ₂, the second gas pressure, the second RF power of the CVD deposition equipment, the second thin film deposition time, etc., or any combination thereof, to grow a second anti reflection layer on the first anti reflection layer, with a thickness range de 10-200 nm e um intervalo de índice de refração de 1.4-1.71.

Vantagens tecnológicas
Ao usar o mesmo material de crescimento, o filme anti -reflexão pode alcançar o mesmo efeito anti -reflexão em comparação com filmes anti -reflexões empilhados de diferentes materiais, reduzindo os tipos de fontes de gás utilizadas, diminuindo a dificuldade do processo de preparação e aumentando o espaço de preparação e a área de trabalho devido ao armazenamento e uso de fontes de gás durante o processo de preparação .}

Processo de fabricação de filme anti -reflexivo híbrido sio ₂/tio ₂

Processo tecnológico
Preparação de substrato: selecione substratos transparentes, como vidro, vidro orgânico, filme de poliimida, etc . e execute o tratamento de remoção de manchas para garantir uma superfície limpa e sem poeira ., se necessário, um polimento de dupla face ou dupla pode ser executado para melhorar a eficiência da transmissão de luz.
Preparação do precursor do filme: Tetraethoxysilane (Teos) e titanato de tetrabutil (TBT) são adicionados ao etanol contendo NH ₄ OH em uma determinada proporção, e a reação é mantida por 9-12 horas para obter um sistema transparente de sol - gel .}
Coating and curing: the prepared sol gel system is evenly coated on the transparent substrate, and spin coating, spraying, brushing and other schemes can be used. After coating, the hybrid SiO ₂/TiO ₂ film precursor is placed in an oven for curing and annealing treatment, forming a multi-layer structure.
Coate circular: Repita o processo de revestimento e cura até que o efeito anti -reflexivo desejado seja obtido . diferentes tempos e sequências de revestimento afetarão o desempenho de filmes anti -reflexivos, e são necessárias pesquisas e otimização .
Tratamento da superfície: Para aumentar a durabilidade e a estabilidade do filme anti -reflexivo, uma camada de polímero hidrofílico e hidrofóbico pode ser revestido na superfície do filme anti -reflexivo .

Processo de fabricação de filme anti -reflexivo infravermelho
Processo tecnológico
The infrared anti reflection film is based on silicon and coated with anti reflection films on both sides of the substrate. The film system structure of the anti reflection film is independent of each other as (HL) ^ S, where H represents the Si layer, L represents the SiO layer, S represents the period of the HL basic structure, and the value of S is an integer between 3-6. The Si layer is adjacent to the substrate, and the SiO layer is located on the surface. The coating process is used to attach the film layer to the substrate, with SiO film layer as the outermost layer, which has high surface hardness and does not require an additional protective layer. Additionally, SiO has a lower refractive index, which can reduce surface reflectivity and further increase infrared Transmitância .

Processo de fabricação de filme reflexivo de alta temperatura resistente a laser a laser
processo tecnológico
Material pré -fusão: o tratamento de pré -finger separado é realizado em fluoreto de Yttrium, fluoreto de cálcio Yttrium e materiais de filme de seleneto de zinco para remover as impurezas dentro dos materiais do filme .
Camada de filme de deposição: a primeira camada de fluoreto de yttrium, camada de fluoreto de cálcio yttrium, camada de seleneto de zinco e camada de fluoreto de segunda yttria são depositadas sequencialmente em uma camada de selenato de zinco com uma espessura de 3 ± 0 .} 1mm por vacatura eVaporation {±.}} 1mm por vacatura evaporação Área de superfície da camada do substrato . Os requisitos de espessura física para cada camada são os seguintes: A espessura física da primeira camada de fluoreto de Yttrium é 95-100 nanômetros; A espessura física da camada de fluoreto de cálcio Ytterbium é 860-870 nanômetros; A espessura física da camada de seleneto de zinco é 240-250 nanômetros; A espessura física da segunda camada de fluoreto de Yttrium é 95-100 nanômetros.
 

Vantagens tecnológicas
The prepared anti reflection membrane has a simple structure and exquisite design. The four layer combination has the characteristics of high temperature resistance, high transmittance, firm membrane layer, complementary stress between membrane layers, and non rupture of membrane layers. It can meet the continuous operation of components under high temperature conditions, and the materials used in each layer are non radioactive, which will not cause danos aos operadores e ao ambiente .